終于快來了!三星量產第8代V-NAND閃存:傳輸速度提升一倍

導讀 從本月開始,各家廠商將會陸續發布PCIe 5.0 SSD固態盤,同時帶來更多新技術和優惠。近日,三星官方宣布開始量產236層3D NAND閃存芯片,...

從本月開始,各家廠商將會陸續發布PCIe 5.0 SSD固態盤,同時帶來更多新技術和優惠。近日,三星官方宣布開始量產236層3D NAND閃存芯片,并將其命名為第8代V-NAND。


(圖片來源:三星電子官方網站)


據小雷了解,新一代存儲芯片能夠達到2400MTps的傳輸速度,相比上一代提升了1.2倍,可以制造傳輸速度超過12GBps的消費級SSD。據介紹,第8代V-NAND可以提供1Tb(128GB)的方案,三星電子沒有公布IC的實際密度,不過他們稱其是業界最高的比特密度。


(圖片來源:三星電子中國官方網站)


目前三星官方還未發布實際的產品,不過距離新品發布已經不遠了。值得一提的是,雖然存儲容量變得更大,但是第8代V-NAND的厚度依舊控制在合理水平,封裝512GB容量也不會超過0.8mm。


與目前同容量的閃存芯片相比,第8代V-NAND的單晶生產率提高了20%,能夠滿足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。單晶生產率的提升意味著生產成本進一步降低,后續大家或許可以買到相同容量下更便宜的固態硬盤。


(圖片來源:三星電子中國官方網站)


事實上,不只有三星一家,像東芝、西數、SK海力士等廠商都在大力研發3D NAND技術,以此來拉開與競爭者的差距,從而占據大部分市場份額。就目前而言,三星的3D NAND技術已經完成了全面領先,希望后續其他廠商能夠加把勁,爭取早日追上三星。


對想購買固態硬盤的用戶來說,完全可以等等看,畢竟做等等黨“永遠不虧”,預計后面還會有更多新品上市。可以預見的是,存儲廠商的“內卷”才剛剛開始,未來還會有更多容量大且便宜的固態硬盤。


(封面圖來源:三星電子中國官方網站)

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