2020年12月 合肥晶合集成電路股份有限公司（以下簡稱“晶合集成”）與矽成積體電路股份有限公司（以下簡稱“ISSI”）、成都銳成芯微科技股份有限公司（以下簡稱“銳成芯微”）聯合推出110nm-ALMCU全平臺解決方案（圖1）。該平臺為晶合集成“顯像微電”（顯示器驅動、圖像傳感、微控制器、電源管理）四大特色工藝中重要的“微”一環。

嵌入式閃存（110LP-eFlash）：基于110nm LP 1.5V/5V 低功耗邏輯工藝的嵌入式閃存平臺。面向容量介于16KB/32KB-256KB 擦寫次數大于100K次的MCU應用。采用ISSI第二代架構 2T-pFlash （pFusion?） 的記憶體模塊 搭配銳成芯微的全套低功耗模擬IP方案：

1）NVM IP：ISSI pFusion? 第二代架構。在第一代架構低功耗、高速度、高抗干擾能力及高可靠性的基礎上 顯著提升可靠性的工藝窗口（圖2） 特別適用于高可靠性需求的工規及車規應用；客制化的pFusion?模塊允許同時存在不同大小的擦除區塊 提升系統配置彈性 滿足客戶多種應用場景需求。

2）模擬IP：銳成芯微的全套低功耗模擬IP方案具有卓越的靜態功耗（nA級） 極大降低了芯片在待機模式下的整體功耗。在功耗、性能和成本上實現極佳平衡 可以廣泛應用於MCU、IoT smart card wireless、power meters以及車規系統。2020年晶合集成成功導入多家嵌入式閃存客戶產品驗證并于12月進入投片量產。

MTP（110LP-MTP）：基于110nm LP 1.5V/5V 低功耗邏輯工藝的MTP（Multiple-Time Programming）平臺。面向容量1KB-16KB/32KB 擦寫次數介于10次-10K次的MCU應用。銳成芯微的LogicFlash? IP 提供業界最小的MTP IP。具有擦寫次數大于10K次 高溫數據保存大于10年 高速讀寫及低芯片測試成本等優勢 滿足低成本高性能MCU的應用需求 可廣泛應用于工業和家電類產品 例如鋰電池供電的物聯網、智能家居、智能穿戴類應用。目前已經成功導入客戶并進入投片量產。

晶合集成的110nm全鋁后段12寸生產線可為客戶在MCU及低功耗SOC產品提供更具市場競爭力的代工業務和更優質的技術服務。為了更好滿足客戶產品日益增長的更新迭代需求 到2022年 晶合集成還將在55nm邏輯工藝基礎上推出55nm嵌入式閃存工藝平臺 進一步為客戶提供128KB-1MB高性能MCU平臺解決方案。

關于合肥晶合集成電路股份有限公司

合肥晶合集成電路股份有限公司（簡稱“晶合集成”）成立于2015年5月 專注于半導體晶圓生產代工服務。截至2020年11月產能突破3萬片/月 實現了在手機面板驅動芯片代工領域領先的目標。晶合集成初期的主要產品為面板驅動芯片 后續將以客戶需求為導向 結合平板顯示、汽車電子、家用電器、工業控制、人工智能、物聯網等產業發展趨勢 進一步拓展微控制器（MCU）、CMOS圖像傳感器（CIS）、電源管理（PMIC） 、人工智能物聯網（AIoT）等不同應用領域芯片代工 矢志成為中國最卓越的集成電路專業制造公司之一。

關于矽成積體電路股份有限公司

矽成積體電路股份有限公司（簡稱“ISSI”）成立于1988年 是一家技術領先的集成電路設計企業。公司專注于汽車電子、網絡通信、工控醫療及數字消費電子四個領域 為此設計開發高性能IC芯片 主要產品包括DRAM、SRAM、FLASH及混合模擬信號產品。除此之外 矽成也擁有獨立自主研發的embedded flash（pFusion）智財權（IP） 透過技術授權于各大芯片代工廠及設計公司 量產工藝從180nm到55nm 累計的出貨片數遠大于一百萬片晶圓；以第三方的e-flash IP 來說 目前是屬于世界領先的供應商之一。

關于成都銳成芯微科技股份有限公司

銳成芯微成立于2011年 是一家專注于集成電路IP核技術研發及服務的國家高新技術企業 總部位于成都 在國內多地設有分支機構。銳成芯微是國內領先的同時擁有超低功耗模擬IP技術、高可靠性嵌入式存儲IP技術、高性能RF技術和高速數據傳輸IP技術的企業 目前已與國內外20多家晶圓代工廠開展合作 產品覆蓋從14/16nm到180nm的CMOS BiCMOS BCD SiGe HV FinFET FD-SOI等幾十個工藝制程 累計開發IP 500多項 國內外申請專利超200件 服務全球300多家集成電路設計企業 產品廣 泛應用于物聯網、智能家居、汽車電子、智慧電源、可穿戴、醫療電子、工業控制等領域。 責任編輯:tzh