在ISSCC 2021國際固態電路會議上 臺積電聯席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進展情況 指出3nm工藝超過預期 進度將會提前。

不過劉德音沒有公布3nm工藝到底如何超前的 按照他們公布的信息 3nm工藝是今年下半年試產 2022年正式量產。

與三星在3nm節點激進選擇GAA環繞柵極晶體管工藝不同 臺積電的第一代3nm工藝比較保守 依然使用FinFET晶體管。

與5nm工藝相比 臺積電3nm工藝的晶體管密度提升70% 速度提升11% 或者功耗降低27%。

不論是5nm還是3nm工藝 甚至未來的2nm工藝 臺積電表示EUV光刻機的重要性越來越高 但是產能依然是EUV光刻的難題 而且能耗也很高。

劉德音提到 臺積電已經EUV光源技術獲得突破 功率可達350W 不僅能支持5nm工藝 甚至未來可以用于1nm工藝。

按照臺積電提出的路線圖 他們認為半導體工藝也會繼續遵守摩爾定律 2年升級一代新工藝 而10年則會有一次大的技術升級。

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