科技前沿看點EPC已推出具有6.8mΩ溝道的170V GaN功率晶體管

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稱為EPC2059,“它們旨在滿足48V – 56V服務器和數據中心產品以及高端計算(包括游戲PC,LCD TV,LED TV和LED照明)的一系列消費電源應用的需求”,據該公司。

它的目標是在100W至6kW之間的AC-DC電源(例如80 Plus Titanium PSU)中進行DC-DC次級同步整流。

首席執行官Alex Lidow聲稱,與在400V至48V轉換器中以1MHz進行電阻切換時等效的硅mosfet相比,損耗和運行溫度低10°C的六分之一。

僅提供2.8 x 1.4mm裸片形式,額定連續電流為24A,脈沖額定電流為102A。

柵極設計為以5V運行,以開啟器件,但最大柵極偏移接近+ 6V(和-4V)。

最大柵極電荷為7.4nC(85V漏極,5V柵極,10A漏極)–或通常為5.7nC。

隨零件一起提供的是51 x 51mm EPC9098開發板,它可以吸收高達170V的電壓并提供高達17A的電流。它具有一個由兩個EPC2059晶體管構成的半橋,以及一個Texas Instruments LMG1210柵極驅動器。

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