科技前沿看點羅門宣布推出第四代1.2kV碳化硅mosfet

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該公司表示:“對于功率半導體,通常在較低的導通電阻與短路耐受時間之間進行權衡。” “ Rohm能夠改善這種關系并將單位面積的導通電阻降低40%,而不會犧牲短路耐受時間。”

這來自對其雙溝槽結構的進一步研究,該結構通過最小化溝槽柵中的電場集中來提高長期可靠性。

Rohm-1200V-Gen4-SiC-mosfet-energy-graph-655第四代還降低了寄生電容-柵極氧化膜的Cgs和Cgd以及寄生二極管的Cds-與Rohm的第三代相比,其開關損耗降低了50%。

裸芯片樣品將從本月開始提供,隨后還將提供分立封裝器件。

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