新時代高科技不計其數越來越發達，小伙伴們看過不少科技新聞吧，在我們生活中應該也用到很多這些高科技東西，有哪些小伙伴值的關注的呢，今天就跟大家分享一篇有關科技方面知識，希望大家會喜歡。

這些零件被稱為“ H2”，符合汽車應用的AEC-Q101標準，第二代管芯也可在TO-247中用于工業用途。

Nexperia市場總監Dilder Chowdhury表示：“客戶需要在650V和30-40mΩRds(on)左右的功率轉換的解決方案，其中的應用包括車載充電器，DC-DC轉換器和電動汽車的牽引逆變器。”其他重大需求是1.5 – 5kW的“ 80 Plus Titanium”級機架式電信，5G和數據中心PSU。

Chowdhury告訴《電子周刊》，該公司已經在其H1工藝上構建了50mΩ的GaN hemt(高電子遷移率晶體管)，并且正在開發35mΩ的版本。但是，降低電阻需要一個大的芯片，從而使其昂貴-更糟糕的是，因為H1技術的浮動襯底需要精心制作的封裝，該封裝包括內部絕緣墊片以隔離GaN芯片的背面。

轉向具有直通通孔的H2技術后，制造的35mΩ裸片尺寸減小了24%，從而消除了對墊片的需求。

Nexperia-H2-GaN表一共有三個650V H2部件(右表)

傳統TO-247封裝中的Rds(on)為35mΩ(典型值為25°C，最大41mΩ)。

兩個表面貼裝的CCPAK版本降至33mΩ(通常在25°C，最大39mΩ)–一個針對頂部冷卻進行了優化，而另一個針對底部冷卻進行了優化(產品名稱中的T和B)。

TO-247和底部冷卻的SMD現在正在提供樣品，隨后將提供頂部冷卻的版本。TO-247的25°C額定值為47.2A和187W，底部冷卻的SMD的額定值為60A和300W臨時。

包裝名稱中的CC代表“銅夾”-用成型的銅條代替鍵合線。

根據喬杜里(Chowdhury)的說法，銅夾封裝中的電感小于2nH。他說：“擁有低劣封裝的出色半導體毫無意義。”