媒體消息稱 長江存儲不僅計劃大幅擴產 并準備加快技術開發進程。

日前 有媒體報道稱 消息人士透露 長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產量提高一倍至10萬片晶圓 并準備最早將于2021年年中試產第一批192層3D NAND閃存芯片 不過為確保量產芯片質量 該計劃有可能會被推遲至今年下半年。

報道引述消息人士之言指出 長江存儲自2020年第三季度以來一直忙于引進和安裝必要的生產設備與擴大生產。目前長江存儲生產64層和128層3D NAND閃存芯片 日后將逐步增加后者的比例。

對于上述消息 全球半導體觀察向長江存儲求證 長江存儲方面表示不予置評。

長江存儲的3D NAND技術進程

回顧長江存儲的發展歷程 其已在短短3年時間內實現了從32層到64層再到128層的跨越。

2016年7月 長江存儲由紫光集團聯合大基金等共同出資成立 為國家存儲器基地項目的實施主體。2016年12月 長江存儲一期工廠正式破土動工；2017年9月 長江存儲一期工廠實現提前封頂 同年10月 長江存儲在武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎上 通過自主研發和國際合作相結合的方式 成功設計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。

從技術開發的時間點來看 2017年7月 長江存儲32層3D NAND閃存設計完成；2017年11月 長江存儲32層3D NAND閃存實現首次流片。2018年4月 長江存儲生產機臺進場安裝 項目進入量產準備階段；2018年第三季度 長江存儲32層3D NAND閃存實現量產。

在量產32層3D NAND閃存的同時 長江存儲也在加速64層3D NAND閃存開發進度。2018年8月 長江存儲64層3D NAND閃存實現首次流片 同時推出其全新NAND架構Xtacking?。

2019年9月 長江存儲宣布正式量產基于Xtacking? 架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存 這是中國首款64層3D NAND閃存 亦是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現量產的閃存產品。

2020年4月 長江存儲正式宣布 其128層QLC 3D NAND閃存研發成功 并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證 還同時發布了128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片。

從64層越級跳過96層3D NAND技術 直接攻下128層3D NAND技術 長江存儲迅速拉近其與三星、SK海力士、美光等國際大廠的距離 對于中國存儲器產業而言是一個重大突破。 責任編輯:tzh