中國汽車行業一級綜合性供應商——聯合汽車電子有限公司（UnitedAutomoTIveElectronicSystemsCo. Ltd. 以下簡稱“UAES”）與全球知名半導體制造商羅姆（ROHMCo. Ltd. 以下簡稱“羅姆”）在中國上海的UAES總部成立了“SiC技術聯合實驗室” 并于2020年10月舉行了啟動儀式。

與IGBT*1等Si（硅）功率元器件相比 SiC功率元器件具有“開關損耗和傳導損耗*2小”、“耐溫度變化能力強”等優勢 因而作為一種能夠顯著降低損耗的半導體 在電動汽車以及基礎設施、環境/能源、工業設備領域的應用日益廣泛。

UAES和羅姆自2015年開始技術交流以來 雙方在采用SiC功率元器件的車載應用產品開發方面建立了合作伙伴關系。經過多年的技術交流 采用了羅姆SiC功率元器件的UAES車載產品于今年成功投入量產。

未來 雙方將會進一步加強合作關系 并加快以SiC為核心的創新型電源解決方案的開發。

UAES副總經理郭曉潞表示：“自2015年羅姆為UAES推介SiC功率元器件產品以來 雙方包括高層在內的交流不斷加深。作為多年技術交流的成果 UAES開發出采用了SiC的車載應用并在今年成功實現量產 對此我們表示非常高興。該聯合實驗室的成立 表明兩家公司之間的合作關系進一步加深 我們期待通過完善的設備 得到更出色的技術支持。”

羅姆董事高級執行官CSO兼功率元器件業務統括伊野和英博士表示：“我們很高興能夠與車載應用領域的先進企業——UAES成立聯合實驗室。作為SiC功率元器件的先進廠商 羅姆正在推進行業先進的元器件開發 同時 通過與驅動IC等外圍元器件相結合的電源解決方案 獲得了傲人的實際應用業績。未來 在市場有望繼續擴大的車載領域 把握客戶需求和市場動向的研究將是非常重要的要素 因此 雙方將通過聯合實驗室加強合作關系 并憑借以SiC為核心的電源解決方案為汽車技術革新做出貢獻。”

＜術語解說＞

*1）IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor 絕緣柵雙極晶體管）

同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低傳導損耗特性的功率晶體管。

*2）傳導損耗、開關損耗

因元器件結構的緣故 MOSFET和IGBT等晶體管在使用時會產生損耗。傳導損耗是電流流過元器件時（ON狀態時） 受元器件的電阻分量影響而產生的損耗。開關損耗是切換元器件的通電狀態時（開關動作時）產生的損耗。