英諾賽科鄒艷波:第三代半導體開創新賽道

導讀 隨著5G、新能源和快充等應用的興起 第三代半導體材料也開始嶄露頭角。 網《2021半導體產業展望》專題 收到近50位國內外半導體創新領

隨著5G、新能源和快充等應用的興起 第三代半導體材料也開始嶄露頭角。 網《2021半導體產業展望》專題 收到近50位國內外半導體創新領袖企業高管的前瞻觀點。歲末之際 特別采訪了英諾賽科產品應用經理鄒艷波 他對2021年半導體市場提供了自己的前瞻觀點和技術趨勢分析。英諾賽科 產品應用經理 鄒艷波第三代半導體崛起功率半導體朝著第三代半導體發展 10KW的大功率市場會逐步被SIC替代 10KW的中小功率市場會逐步被GaN取代。英諾賽科的氮化鎵功率器件 隨著制程工藝的不斷優化 氮化鎵功率器件的性能和成本優勢將更加明顯。氮化鎵帶來快充變革今年一個比較大的亮點就是小米發布了氮化鎵快充 雷軍為氮化鎵快充代言 這個事件標志著第三代半導體氮化鎵開始在快充領域的大規模應用。氮化鎵作為第三代半導體材料 具備高頻高效的特性 其大規模的應用將推動整個功率半導體市場帶來變革。半導體新賽道明年半導體行業會進一步國產轉移 國產半導體行業會進一步發展 第三代半導體氮化鎵為國產半導體發展提供了絕好的契機 提供了半導體的新賽道 中國半導體有望在這個新的賽道實現國際領先。第三代半導體氮化鎵功率器件在明年的市場應用也將迎來高速發展 在手機 數據中心 5G基站 自動駕駛的應用將實現突破。

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