MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET 主要用于低壓領域；SGT（Shielded Gate Transistor 屏蔽柵溝槽）MOSFET 主要用于中壓和低壓領域；SJ-（超結）MOSFET 主要在高壓領域應用。
隨著手機快充、電動汽車、無刷電機和鋰電池的興起 中壓MOSFET的需求越來越大 中壓功率器件開始蓬勃發展 因其巨大的市場份額 國內外諸多廠商在相應的新技術研發上不斷加大投入。SGT MOSFET作為中MOSFET的代表 被作為開關器件廣泛應用于電機驅動系統、逆變器系統及電源管理系統 是核心功率控制部件。
SGT MOSFET結構具有電荷耦合效應 在傳統溝槽MOSFET器件PN結垂直耗盡的基礎上引入了水平耗盡 將器件電場由三角形分布改變為近似矩形分布 在采用同樣摻雜濃度的外延材料規格情況下 器件可以獲得更高的擊穿電壓。較深的溝槽深度 可以利用更多的硅體積來吸收EAS能量 所以SGT在雪崩時可以做得更好 更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開關電源 電機控制 動力電池系統等應用領域中 SGT MOSFET配合先進封裝 非常有助于提高系統的效能和功率密度。
SGT技術優勢 具體體現：
優勢1：提升功率密度
SGT結構相對傳統的Trench結構 溝槽挖掘深度深3-5倍 可以橫向使用更多的外延體積來阻止電壓 顯著降低了MOSFET器件的特征導通電阻（Specific Resistance） 例如相同的封裝外形PDFN5*6 采用SGT芯片技術 可以得到更低的導通電阻。
優勢2：極低的開關損耗
SGT相對傳統Trench結構 具有低Qg 的特點。屏蔽柵結構的引入 可以降低MOSFET的米勒電容CGD達10倍以上 有助于降低器件在開關電源應用中的開關損耗。另外 CGD/CGS的低比值也是目前同步整流應用中抑制shoot-through的關鍵指標 采用SGT結構 可以獲得更低的CGD/CGS比值。
優勢3：更好的EMI優勢
SGT MOS結構中的內置電阻電容緩沖結構 可以抑制DS電壓關斷時的瞬態振蕩 開關電源應用中 SGT結構中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關斷時dv/dt變化帶來的尖峰和震蕩 進一步降低應用風險。
值得一提的是 依托本土龐大的中壓MOSFET市場需求 國產器件在中低壓領域替換進口品牌的潛力極大 維安在高功率密度、低內阻的SGT MOSFET上面進行積極布局 結合市場和客戶的需求 在產品工藝、封裝上持續創新。
針對不同的應用場景 在產品系列、規格尺寸上推薦選型如下：
（1）PC、筆電、無線充電等
（2）PD、適配器同步整流
（3）BMS及電機控制
（4）通訊電源、5G基站
維安（WAYON）是電路保護元器件及功率半導體提供商。WAYON始終堅持“以客戶為導向 以技術為本 堅持艱苦奮斗精神”的核心價值觀。致力于通過技術創新引領市場 努力成為全球電路保護元器件及功率半導體的領先品牌。 責任編輯:tzh