家電小知識:RCD吸收電路的影響和設計方法(定性分析)

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新時代發展越來越快相信很多小伙伴對家電知識這方面很朦朧吧,正好小編對家電方面頗有研究,現在就跟小伙伴們聊聊一篇關于RCD吸收電路的影響和設計方法(定性分析),相信很多小伙伴們都會感興趣,那么小編也收集到了有關RCD吸收電路的影響和設計方法(定性分析)信息,希望小伙伴們看了有所幫助。

RCD吸收電路的影響和設計方法(定性分析) 這回主要介紹RCD電路的影響。先分析過程:對應電路模型:我們可以定性的分析一下電路參數的選擇對電路的暫態響應的影響:1.RCD電容C偏大電容端電壓上升很慢,因此導致mos 管電壓上升較慢,導致mos管關斷至次級導通的間隔時間過長,變壓器能量傳遞過程較慢,相當一部分初級勵磁電感能量消耗在RC電路上 。波形分析為:點擊看大圖2.RCD電容C特別大(導致電壓無法上升至次級反射電壓)電容電壓很小,電壓峰值小于次級的反射電壓,因此次級不能導通,導致初級能量全部消耗在RCD電路中的電阻上,因此次級電壓下降后達成新的平衡,理論計算無效了,輸出電壓降低。點擊看大圖3.RCD電阻電容乘積R×C偏小電壓上沖后,電容上儲存的能量很小,因此電壓很快下降至次級反射電壓,電阻將消耗初級勵磁電感能量,直至mos管開通后,電阻才緩慢釋放電容能量,由于RC較小,因此可能出現震蕩,就像沒有加RCD電路一樣。點擊看大圖4.RCD電阻電容乘積R×C合理,C偏小如果參數選擇合理,mos管開通前,電容上的電壓接近次級反射電壓,此時電容能量泄放完畢,缺點是此時電壓尖峰比較高,電容和mos管應力都很大點擊看大圖5.RCD電阻電容乘積R×C合理,R,C都合適在上面的情況下,加大電容,可以降低電壓峰值,調節電阻后,使mos管開通之前,電容始終在釋放能量,與上面的最大不同,還是在于讓電容始終存有一定的能量。點擊看大圖以上均為定性分析,實際計算還是單獨探討后整理,需要做仿真驗證。明天把上面兩篇博文做一些仿真的分析,如果與上面的分析一致,則開始準備整理計算方法。

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