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3DG6型NPN型硅高頻小功率三極管參數

表1.1.14：原型號3DG6測試條件新型號3DG100A3DG100B3DG100C3DG100D極限參數PCM(mW)100100100100ICM(mA)20202020BVCBO(V)≥30≥40≥30≥40Ic=100μABVCEO(V)≥20≥30≥20≥30Ic=100μABVEBO(V)≥4≥4≥4≥4IE=100μA直流參數ICBO(μA)≤0.01≤0.01≤0.01≤0.01VEB=10VICEO(μA)≤0.1≤0.1≤0.1≤0.1VCE=10VIEBO(μA)≤0.01≤0.01≤0.01≤0.01VEB=1.5VVBES(V)≤1≤1≤1≤1Ic=10mA IB=1mAVCES(V)≤1≤1≤1≤1Ic=10mA IB=1mAhFE≥30≥30≥30≥30VCE=10V Ic=3mA交流參數fT(MHz)≥150≥150≥300≥300VCE=10V IE=3mA f=100MHzRL=5ΩKp(dB)≥7≥7≥7≥7VCE=-6V IE=3mA f=100MHzCob(pF)≤4≤4≤4≤4VCE=10V IE=0hFE色標分檔　　　　　　　(紅)30~60； (綠)50~110； (藍)90~160； (白)>150