新時代發展越來越快相信很多小伙伴對家電知識這方面很朦朧吧，正好小編對家電方面頗有研究，現在就跟小伙伴們聊聊一篇關于雙極型晶體管電流增益溫度特性的研究，相信很多小伙伴們都會感興趣，那么小編也收集到了有關雙極型晶體管電流增益溫度特性的研究信息，希望小伙伴們看了有所幫助。

　　由兩個背靠背PN結構成的以獲得電壓、電流或信號增益的晶體三極管。起源于1948年發明的點接觸晶體三極管，50年代初發展成結型三極管即現在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結構：PNP型和NPN型。在這3層半導體中，中間一層稱基區，外側兩層分別稱發射區和集電區。當基區注入少量電流時，在發射區和集電區之間就會形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應。

　　輸入特性曲線：描述了在管壓降UCE一定的情況下，基極電流iB與發射結壓降uBE之間的關系稱為輸入伏安特性，可表示為： 硅管的開啟電壓約為0.7V，鍺管的開啟電壓約為0.3V。

　　輸出特性曲線：描述基極電流IB為一常量時，集電極電流iC與管壓降uCE之間的函數關系可表示為：

　　雙極型晶體管輸出特性可分為三個區

　　★截止區：發射結和集電結均為反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三極管當作一個開關，這個狀態相當于斷開狀態。

　　★飽和區：發射結和集電結均為正向偏置。在飽和區IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三極管當作一個開關，這時開關處于閉合狀態。

　　★放大區：發射結正偏，集電結反偏。

　　◆IC受IB的控制，與UCE的大小幾乎無關。因此三極管是一個受電流IB控制的電流源。

　　◆特性曲線平坦部分之間的間隔大小，反映基極電流IB對集電極電流IC控制能力的大小，間隔越大表示管子電流放大系數b越大。

　　◆伏安特性最低的那條線為IB=0，表示基極開路，IC很小，此時的IC就是穿透電流ICEO。

　　◆在放大區電流電壓關系為：UCE=EC-ICRC， IC=βIB

　　◆在放大區管子可等效為一個可變直流電阻。極間反向電流：是少數載流子漂移運動的結果。

　　。集電極－基極反向飽和電流ICBO ：是集電結的反向電流。

　　集電極－發射極反向飽和電流ICEO ：它是穿透電流。

　　特征頻率 ：由于晶體管中PN結結電容的存在，晶體管的交流電流放大系數會隨工作頻率的升高而下降，當 的數值下降到1時的信號頻率稱為特征頻率 。

　　★最大集電極耗散功率 如圖所示。

　　★最大集電極電流 ：使b下降到正常值的1/2～2/3時的集電極電流稱之為集電極最大允許電流。

　　★極間反向擊穿電壓：晶體管的某一電極開路時，另外兩個電極間所允許加的最高反向電壓即為極間反向擊穿電壓，超過此值的管子會發生擊穿現象。溫度升高時，擊穿電壓要下降。