新時代發展越來越快相信很多小伙伴對家電知識這方面很朦朧吧，正好小編對家電方面頗有研究，現在就跟小伙伴們聊聊一篇關于半導體二極管參數符號及其意義，相信很多小伙伴們都會感興趣，那么小編也收集到了有關半導體二極管參數符號及其意義信息，希望小伙伴們看了有所幫助。

半導體二極管參數符號及其意義CT---勢壘電容Cj---結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv---偏壓結電容Co---零偏壓電容Cjo---零偏壓結電容Cjo/Cjn---結電容變化Cs---管殼電容或封裝電容Ct---總電容CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比CTC---電容溫度系數Cvn---標稱電容IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時給定的電流IF（AV）---正向平均電流IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。IH---恒定電流、維持電流。Ii--- 發光二極管起輝電流IFRM---正向重復峰值電流IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)---正向過載電流IL---光電流或穩流二極管極限電流ID---暗電流IB2---單結晶體管中的基極調制電流IEM---發射極峰值電流IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流ICM---最大輸出平均電流IFMP---正向脈沖電流IP---峰點電流IV---谷點電流IGT---晶閘管控制極觸發電流IGD---晶閘管控制極不觸發電流IGFM---控制極正向峰值電流IR（AV）---反向平均電流IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極管在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM---反向峰值電流IRR---晶閘管反向重復平均電流IDR---晶閘管斷態平均重復電流IRRM---反向重復峰值電流IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）Irp---反向恢復電流Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流Izk---穩壓管膝點電流IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM---穩壓二極管浪涌電流IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流iF---正向總瞬時電流iR---反向總瞬時電流ir---反向恢復電流Iop---工作電流Is---穩流二極管穩定電流f---頻率n---電容變化指數；電容比Q---優值（品質因素）δvz---穩壓管電壓漂移di/dt---通態電流臨界上升率dv/dt---通態電壓臨界上升率PB---承受脈沖燒毀功率PFT（AV）---正向導通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向導通總瞬時耗散功率Pd---耗散功率PG---門極平均功率PGM---門極峰值功率PC---控制極平均功率或集電極耗散功率Pi---輸入功率PK---最大開關功率PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏過脈沖功率PMS---最大承受脈沖功率Po---輸出功率PR---反向浪涌功率Ptot---總耗散功率Pomax---最大輸出功率Psc---連續輸出功率PSM---不重復浪涌功率PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極管允許承受的最大功率RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻RBB---雙基極晶體管的基極間電阻RE---射頻電阻RL---負載電阻Rs(rs)----串聯電阻Rth----熱阻R(th)ja----結到環境的熱阻Rz(ru)---動態電阻R(th)jc---結到殼的熱阻r δ---衰減電阻r(th)---瞬態電阻Ta---環境溫度Tc---殼溫td---延遲時間tf---下降時間tfr---正向恢復時間tg---電路換向關斷時間tgt---門極控制極開通時間Tj---結溫Tjm---最高結溫ton---開通時間toff---關斷時間tr---上升時間trr---反向恢復時間ts---存儲時間tstg---溫度補償二極管的貯成溫度a---溫度系數λp---發光峰值波長△ λ---光譜半寬度η---單結晶體管分壓比或效率VB---反向峰值擊穿電壓Vc---整流輸入電壓VB2B1---基極間電壓VBE10---發射極與第一基極反向電壓VEB---飽和壓降VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）VF---正向壓降（正向直流電壓）△VF---正向壓降差VDRM---斷態重復峰值電壓VGT---門極觸發電壓VGD---門極不觸發電壓VGFM---門極正向峰值電壓VGRM---門極反向峰值電壓VF（AV）---正向平均電壓Vo---交流輸入電壓VOM---最大輸出平均電壓Vop---工作電壓Vn---中心電壓Vp---峰點電壓VR---反向工作電壓（反向直流電壓）VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）V（BR）---擊穿電壓Vth---閥電壓（門限電壓）VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）VRWM---反向工作峰值電壓V v---谷點電壓Vz---穩定電壓△Vz---穩壓范圍電壓增量Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓av---電壓溫度系數Vk---膝點電壓（穩流二極管）VL ---極限電壓二、雙極型晶體管參數符號及其意義Cc---集電極電容Ccb---集電極與基極間電容Cce---發射極接地輸出電容Ci---輸入電容Cib---共基極輸入電容Cie---共發射極輸入電容Cies---共發射極短路輸入電容Cieo---共發射極開路輸入電容Cn---中和電容（外電路參數）Co---輸出電容Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容Coe---共發射極輸出電容Coeo---共發射極開路輸出電容Cre---共發射極反饋電容Cic---集電結勢壘電容CL---負載電容（外電路參數）Cp---并聯電容（外電路參數）BVcbo---發射極開路，集電極與基極間擊穿電壓BVceo---基極開路，CE結擊穿電壓BVebo--- 集電極開路EB結擊穿電壓BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓BV cer---基極與發射極串接一電阻，CE結擊穿電壓D---占空比fT---特征頻率fmax---最高振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時的工作頻率hFE---共發射極靜態電流放大系數hIE---共發射極靜態輸入阻抗hOE---共發射極靜態輸出電導h RE---共發射極靜態電壓反饋系數hie---共發射極小信號短路輸入阻抗hre---共發射極小信號開路電壓反饋系數hfe---共發射極小信號短路電壓放大系數hoe---共發射極小信號開路輸出導納IB---基極直流電流或交流電流的平均值Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值IE---發射極直流電流或交流電流的平均值Icbo---基極接地，發射極對地開路，在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流Iceo---發射極接地，基極對地開路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流Iebo---基極接地，集電極對地開路，在規定的反向電壓VEB條件下，發射極與基極之間的反向截止電流Icer---基極與發射極間串聯電阻R，集電極與發射極間的電壓VCE為規定值時，集電極與發射極之間的反向截止電流Ices---發射極接地，基極對地短路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流Icex---發射極接地，基極與發射極間加指定偏壓，在規定的反向偏壓VCE下，集電極與發射極之間的反向截止電流ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內，能連續地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值ICMP---集電極最大允許脈沖電流ISB---二次擊穿電流IAGC---正向自動控制電流Pc---集電極耗散功率PCM---集電極最大允許耗散功率Pi---輸入功率Po---輸出功率Posc---振蕩功率Pn---噪聲功率Ptot---總耗散功率ESB---二次擊穿能量rbb'---基區擴展電阻（基區本征電阻）rbb'Cc---基極-集電極時間常數，即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積rie---發射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻roe---發射極接地，在規定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻RE---外接發射極電阻（外電路參數）RB---外接基極電阻（外電路參數）Rc ---外接集電極電阻（外電路參數）RBE---外接基極-發射極間電阻（外電路參數）RL---負載電阻（外電路參數）RG---信號源內阻Rth---熱阻Ta---環境溫度Tc---管殼溫度Ts---結溫Tjm---最大允許結溫Tstg---貯存溫度td----延遲時間tr---上升時間ts---存貯時間tf---下降時間ton---開通時間toff---關斷時間VCB---集電極-基極（直流）電壓VCE---集電極-發射極（直流）電壓VBE---基極發射極（直流）電壓VCBO---基極接地，發射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓VEBO---基極接地，集電極對地開路，發射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓VCEO---發射極接地，基極對地開路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓VCER---發射極接地，基極與發射極間串接電阻R，集電極與發射極間在指定條件下的最高耐壓VCES---發射極接地，基極對地短路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓VCEX---發射極接地，基極與發射極之間加規定的偏壓，集電極與發射極之間在規定條件下的最高耐壓Vp---穿通電壓。VSB---二次擊穿電壓VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數）Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數）VEE---發射極（直流）電源電壓（外電路參數）VCE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下的集電極-發射極間飽和壓降VBE(sat)---發射極接地，規定Ic、IB條件下，基極-發射極飽和壓降（前向壓降）VAGC---正向自動增益控制電壓Vn(p-p)---輸入端等效噪聲電壓峰值V n---噪聲電壓Cj---結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv---偏壓結電容Co---零偏壓電容Cjo---零偏壓結電容Cjo/Cjn---結電容變化Cs---管殼電容或封裝電容Ct---總電容CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比CTC---電容溫度系數Cvn---標稱電容IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時給定的電流IF（AV）---正向平均電流IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。IH---恒定電流、維持電流。Ii--- 發光二極管起輝電流IFRM---正向重復峰值電流IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov)---正向過載電流IL---光電流或穩流二極管極限電流ID---暗電流IB2---單結晶體管中的基極調制電流IEM---發射極峰值電流IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流ICM---最大輸出平均電流IFMP---正向脈沖電流IP---峰點電流IV---谷點電流IGT---晶閘管控制極觸發電流IGD---晶閘管控制極不觸發電流IGFM---控制極正向峰值電流IR（AV）---反向平均電流IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極管在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM---反向峰值電流IRR---晶閘管反向重復平均電流IDR---晶閘管斷態平均重復電流IRRM---反向重復峰值電流IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）Irp---反向恢復電流Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流Izk---穩壓管膝點電流IOM---最大正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM---穩壓二極管浪涌電流IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流iF---正向總瞬時電流iR---反向總瞬時電流ir---反向恢復電流Iop---工作電流Is---穩流二極管穩定電流f---頻率n---電容變化指數；電容比Q---優值（品質因素）δvz---穩壓管電壓漂移di/dt---通態電流臨界上升率dv/dt---通態電壓臨界上升率PB---承受脈沖燒毀功率PFT（AV）---正向導通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向導通總瞬時耗散功率Pd---耗散功率PG---門極平均功率PGM---門極峰值功率PC---控制極平均功率或集電極耗散功率Pi---輸入功率PK---最大開關功率PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏過脈沖功率PMS---最大承受脈沖功率Po---輸出功率PR---反向浪涌功率Ptot---總耗散功率Pomax---最大輸出功率Psc---連續輸出功率PSM---不重復浪涌功率PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極管允許承受的最大功率RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻RBB---雙基極晶體管的基極間電阻RE---射頻電阻RL---負載電阻Rs(rs)----串聯電阻Rth----熱阻R(th)ja----結到環境的熱阻Rz(ru)---動態電阻R(th)jc---結到殼的熱阻r δ---衰減電阻r(th)---瞬態電阻Ta---環境溫度Tc---殼溫td---延遲時間tf---下降時間tfr---正向恢復時間tg---電路換向關斷時間tgt---門極控制極開通時間Tj---結溫Tjm---最高結溫ton---開通時間toff---關斷時間tr---上升時間trr---反向恢復時間ts---存儲時間tstg---溫度補償二極管的貯成溫度a---溫度系數λp---發光峰值波長△ λ---光譜半寬度η---單結晶體管分壓比或效率VB---反向峰值擊穿電壓Vc---整流輸入電壓VB2B1---基極間電壓VBE10---發射極與第一基極反向電壓VEB---飽和壓降VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）VF---正向壓降（正向直流電壓）△VF---正向壓降差VDRM---斷態重復峰值電壓VGT---門極觸發電壓VGD---門極不觸發電壓VGFM---門極正向峰值電壓VGRM---門極反向峰值電壓VF（AV）---正向平均電壓Vo---交流輸入電壓VOM---最大輸出平均電壓Vop---工作電壓Vn---中心電壓Vp---峰點電壓VR---反向工作電壓（反向直流電壓）VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）V（BR）---擊穿電壓Vth---閥電壓（門限電壓）VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）VRWM---反向工作峰值電壓V v---谷點電壓Vz---穩定電壓△Vz---穩壓范圍電壓增量Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓av---電壓溫度系數Vk---膝點電壓（穩流二極管）VL ---極限電壓三、場效應管參數符號意義Cds---漏-源電容Cdu---漏-襯底電容Cgd---柵-源電容Cgs---漏-源電容Ciss---柵短路共源輸入電容Coss---柵短路共源輸出電容Crss---柵短路共源反向傳輸電容D---占空比（占空系數，外電路參數）di/dt---電流上升率（外電路參數）dv/dt---電壓上升率（外電路參數）ID---漏極電流（直流）IDM---漏極脈沖電流ID(on)---通態漏極電流IDQ---靜態漏極電流（射頻功率管）IDS---漏源電流IDSM---最大漏源電流IDSS---柵-源短路時，漏極電流IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流）IG---柵極電流（直流）IGF---正向柵電流IGR---反向柵電流IGDO---源極開路時，截止柵電流IGSO---漏極開路時，截止柵電流IGM---柵極脈沖電流IGP---柵極峰值電流IF---二極管正向電流IGSS---漏極短路時截止柵電流IDSS1---對管第一管漏源飽和電流IDSS2---對管第二管漏源飽和電流Iu---襯底電流Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數）gfs---正向跨導Gp---功率增益Gps---共源極中和高頻功率增益GpG---共柵極中和高頻功率增益GPD---共漏極中和高頻功率增益ggd---柵漏電導gds---漏源電導K---失調電壓溫度系數Ku---傳輸系數L---負載電感（外電路參數）LD---漏極電感Ls---源極電感rDS---漏源電阻rDS(on)---漏源通態電阻rDS(of)---漏源斷態電阻rGD---柵漏電阻rGS---柵源電阻Rg---柵極外接電阻（外電路參數）RL---負載電阻（外電路參數）R(th)jc---結殼熱阻R(th)ja---結環熱阻PD---漏極耗散功率PDM---漏極最大允許耗散功率PIN--輸入功率POUT---輸出功率PPK---脈沖功率峰值（外電路參數）to(on)---開通延遲時間td(off)---關斷延遲時間TI---上升時間ton---開通時間toff---關斷時間tf---下降時間trr---反向恢復時間Tj---結溫Tjm---最大允許結溫Ta---環境溫度Tc---管殼溫度Tstg---貯成溫度VDS---漏源電壓（直流）VGS---柵源電壓（直流）VGSF--正向柵源電壓（直流）VGSR---反向柵源電壓（直流）VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數）VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數）Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數）VGS(th)---開啟電壓或閥電壓V（BR）DSS---漏源擊穿電壓V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓VDS(on)---漏源通態電壓VDS(sat)---漏源飽和電壓VGD---柵漏電壓（直流）Vsu---源襯底電壓（直流）VDu---漏襯底電壓（直流）VGu---柵襯底電壓（直流）Zo---驅動源內阻η---漏極效率（射頻功率管）Vn---噪聲電壓aID---漏極電流溫度系數ards---漏源電阻溫度系數