家電小知識：N溝道耗盡型MOSFET的結構、特性曲線

2021-04-23 22:35:03

導讀新時代發展越來越快相信很多小伙伴對家電知識這方面很朦朧吧，正好小編對家電方面頗有研究，現在就跟小伙伴們聊聊一篇關于N溝道耗盡型MOSFE

新時代發展越來越快相信很多小伙伴對家電知識這方面很朦朧吧，正好小編對家電方面頗有研究，現在就跟小伙伴們聊聊一篇關于N溝道耗盡型MOSFET的結構、特性曲線，相信很多小伙伴們都會感興趣，那么小編也收集到了有關N溝道耗盡型MOSFET的結構、特性曲線信息，希望小伙伴們看了有所幫助。

N溝道耗盡型MOSFET

1) N溝道耗盡型MOSFET的結構

N 溝道耗盡型MOSFET 的結構示意圖如圖4-4a所示。耗盡型MOSFET 的符號如圖4-4b 所示。N 溝道耗盡型MOSFET 的結構與增強型MOSFET 結構相似，不同之處在于N 溝道耗盡型MOSFET 在制造過程中在柵源之間的SiO2中注入一些離子(圖中4-9中用“＋”表示)，使漏源之間的導電溝道在Ugs=0 時導電溝道就已經存在了，這一溝道稱為初始溝道。因此稱為N溝道耗盡型MOSFET。由于Ugs=0 時就存在初始導電溝道，所以只要加上Uds就能形成漏極電流Id 。