家電小知識：雙極型三極管

2021-04-23 20:30:15

導讀新時代發展越來越快相信很多小伙伴對家電知識這方面很朦朧吧，正好小編對家電方面頗有研究，現在就跟小伙伴們聊聊一篇關于雙極型三極管，相

新時代發展越來越快相信很多小伙伴對家電知識這方面很朦朧吧，正好小編對家電方面頗有研究，現在就跟小伙伴們聊聊一篇關于雙極型三極管，相信很多小伙伴們都會感興趣，那么小編也收集到了有關雙極型三極管信息，希望小伙伴們看了有所幫助。

雙極型三極管

3.1.1 半導體三極管的結構

　　雙極型半導體三極管的結構示意圖如圖所示。它有兩種類型:NPN型和PNP型。　　　　雙極型三極管的符號在圖的下方給出，發射極的箭頭代表發射極電流的實際方向。從外表上看兩個N區,(或兩個P區)是對稱的，實際上發射區的摻雜濃度大，集電區摻雜濃度低，且集電結面積大。基區要制造得很薄，其厚度一般在幾個微米至幾十個微米。3.1.2 三極管內部的電流分配與控制　

　　雙極型半導體三極管在工作時一定要加上適當的直流偏置電壓。若在放大工作狀態：發射結加正向電壓，集電結加反向電壓，如圖所示。　　　　　　　　　　在發射結正偏，集電結反偏條件下，三極管中載流子的運動：(1)在VBB作用下，發射區向基區注入電子形成IEN，基區空穴向發射區擴散形成IEP。(2) 電子在基區復合和擴散，由發射區注入基區的電子繼續向集電結擴散，擴散過程中少部分電子與基區空穴復合形成電流IBN。由于基區薄且濃度低，所以IBN較小。(3) 集電結收集電子，由于集電結反偏，所以基區中擴散到集電結邊緣的電子在電場作用下漂移過集電結，到達集電區，形成電流ICN。(4) 集電極的反向電流，集電結收集到的電子包括兩部分：發射區擴散到基區的電子——ICN，基區的少數載流子——ICBO　　　　　　動畫　　IE=IEN+IEP 且有 IEN>>IEP　　IEN=ICN+IBN 且有 IEN>> IBN ，ICN>>IBN 　　IC=ICN+ICBO　　IB=IEP+IBN－ICBO　　IE=IC+IB3.1.3 三極管各電極的電流關系

　(1)三種組態　　雙極型三極管有三個電極，其中兩個可以作為輸入, 兩個可以作為輸出，這樣必然有一個電極是公共電極。三種接法也稱三種組態，見下圖　　　　　　共發射極接法，發射極作為公共電極，用CE表示；　　共集電極接法，集電極作為公共電極，用CC表示；　　共基極接法，基極作為公共電極，用CB表示。

　(2)三極管的電流放大系數　　對于集電極電流IC和發射極電流IE之間的關系可以用系數來說明，定義: 　　　　　　　　　　　　　　　稱為共基極直流電流放大系數。它表示最后達到集電極的電子電流ICN與總發射極電流IE的比值。ICN與IE相比，因ICN中沒有IEP和IBN，所以的值小于1, 但接近1，一般為0.98~0.999 。由此可得:　　　　　　在忽略ICBO情況下， IC 、 IE 和IB之間的關系可近似表示為：　　

3.1.4 三極管的共射極特性曲線

　　信號表示　　信號表示（對IC 、VBE 、VCE 等意義相同）：IB 表示直流量／Ib 表示交流有效值／Ib 表示復數量／iB 表示交直流混合量／ib 表示交流變化量

　1. 輸入特性曲線　　　　(1) VCE=0時：b、e間加正向電壓， JC和JE都正偏， JC沒有吸引電子的能力。所以其特性相當于兩個二極管并聯PN結的特性。VCE=0V：兩個PN結并聯　　(2) VCE>1V時，b、e間加正向電壓，這時JE正偏， JC反偏。發射區注入到基區的載流子絕大部分被JC收集，只有小部分與基區多子形成電流IB。所以在相同的VBE下，IB要比VCE=0V時小。VCE>1V： iB比VCE=0V時小　　(3) VCE介于0~1V之間時，JC反偏不夠，吸引電子的能力不夠強。隨著VCE的增加，吸引電子的能力逐漸增強，iB逐漸減小，曲線向右移動。0<VCE<1V: VCE增加，iB減小　2. 輸出特性曲線　　　　(3) 飽和區：對應于VCE<VBE的區域，集電結處于正偏，吸引電子的能力較弱。隨著VCE增加，集電結吸引電子能力增強，iC增大。JC和JE都正偏，VCES約等于0.3V，飽和時c、e間電壓記為VCES，深度飽和時VCES約等于0.3V。飽和時的三極管c、e間相當于一個壓控電阻。　　