臺積電和三星3nm制程遭遇挑戰,研發進度推遲

導讀 1月3日消息 據國外媒體報道 臺積電和三星這兩大芯片代工商的制程工藝 均已提升到了5nm 更先進的3nm也在按計劃推進中 臺積電3nm工藝的

1月3日消息 據國外媒體報道 臺積電和三星這兩大芯片代工商的制程工藝 均已提升到了5nm 更先進的3nm也在按計劃推進中 臺積電3nm工藝的芯片生產工廠更是已經建成 計劃在今年風險試產 明年下半年大規模量產。

但產業鏈方面最新的消息顯示 臺積電和三星3nm制程工藝的研發均遇到了挑戰 遇到了不同的關鍵技術瓶頸 研發進度也不得不推遲。

臺積電CEO魏哲家此前在財報分析師電話會議上透露的消息顯示 他們的3nm工藝仍將采用成熟的鰭式場效應晶體管技術(FinFET)。而三星的3nm工藝則由不同 外媒稱他們將采用環繞柵極晶體管技術(GAA)。

目前還不清楚臺積電和三星3nm工藝研發過程中遇到的關鍵瓶頸 會對研發進程造成多大的影響 是否會影響到最終的量產時間也還不得而知。

對于臺積電的3nm工藝 外媒此前在報道中稱他們準備了4波產能 首波產能中的大部分將留給多年的大客戶蘋果 后三波產能將被高通英特爾賽靈思英偉達AMD等廠商預訂。責任編輯:YYX

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