高通似乎已接近其下一代移動旗艦處理器的最后階段。在最初的報道暗示下一個芯片將是 Snapdragon 895 并帶來一定的性能改進后，新的泄漏聲稱該芯片組將被稱為 Qualcomm Snapdragon 898，并且還強調了該芯片組的性能規格承擔。芯片的核心顯然將是新一代 ARM X2 內核。

根據報告，高通Snapdragon 898將有四簇核布局，以1 + 3 + 2 + 2結構配置。在此配置中，SoC 將具有四個效率內核，其中兩個配置高頻時鐘，兩個配置較低頻率。結構中間的三個核心將是主要性能核心，由一個峰值性能核心進一步支持。后者預計將采用 ARM X2 內核，并且報告建議其主頻為 3.09GHz。

至于其他核心，也有望轉向新一代ARM核心架構。具體來說，峰值性能核心可能被稱為 Kryo 780 Super，它將基于 ARM X2。標準 Kryo 780 將基于 ARM Cortex A710，最后，Kryo 780 效率內核將基于 ARM Cortex A510。其中每一個都基于 64 位 ARM v9 核心架構，這是 ARM 最新一代的處理核心技術，并取代了高通之前使用的較舊的 Cortex X1、A78 和 A55 核心。

到目前為止，最初的基準測試顯示 Geekbench 單核得分約為 1,250，多核得分約為 4,000。這表明與前任相比，性能有了相當大的提升。這讓我們很高興看到 Qualcomm Snapdragon 898 在性能方面的表現如何，以及該公司如何設法緩解發熱問題。驍龍 888 出現了許多發熱問題并因此受到批評，因此高通會小心謹慎，不要重蹈覆轍。