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電容校正(或稱主極點校正)措施是一種比較簡單的消除自激振蕩的方法，它通過在負反饋放大電路時間常數最大的回路中并接一個補償電容C實現。

負反饋程度越深，越容易產生自激振蕩。因此為了保證電路穩定工作，避免產生自激振蕩，在實際應用中常常需要采取適當的措施來破壞自激的幅度條件和相位條件。電容校正(或稱主極點校正)措施是一種比較簡單的消除自激振蕩的方法，它通過在負反饋放大電路時間常數最大的回路中并接一個補償電容 C 實現。

補償原因

由于三級或三級以上的負反饋放大電路容易產生自激振蕩，因此為了保證電路穩定工作，避免產生自激振蕩，在實際應用中常常需要采取適當的措施來破壞自激的幅度條件和相位條件。

對負反饋放大電路，負反饋深度和電路的穩定性之間存在一種矛盾的關系：負反饋程度越深，越容易產生自激振蕩。而為了使放大電路工作穩定而減小其反饋系數 B 或反饋深度 1+A(s)B(s)的值，這會對電路其它性能的改善不利。因此，為了保證電路既有一定的反饋深度又能穩定工作，在實際應用中常采用相位補償的方法，即在放大電路或反饋網絡中接入由 C 或 RC 元件組成的校正網絡，使電路的頻率特性發生變化，以破壞自激振蕩條件。

電容校正定義

電容校正(或稱主極點校正)措施是一種比較簡單的消除自激振蕩的方法，它通過在負反饋放大電路時間常數最大的回路中并接一個補償電容 C 實現。如圖電容校正方法實質上是將放大電路的主極點頻率降低，從而破壞自激振蕩的條件，所以也稱為主極點校正。

圖 b 為電容校正電路的等效電路，接入的補償電容 C 相當于并聯在兩級放大電路之間，在中低頻時，由于容抗較大，補償電容 C 基本不起作用;而在高頻時，C 的容抗減小，使前一級的放大倍數降低，從而破壞自激振蕩的振幅條件，使電路穩定工作。

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