三安光電的MicroLED專利 通過利用導電基板搭配絕緣隔離 根據共電極并聯的方式形成針孔電極的支撐柱子 同時采用模塊化金屬犧牲層做測試電極 實現微型發光元件的巨量全測。

近年來 Micro LED布局火熱 作為新一代顯示技術 布局Micro LED就是布局未來。目前來看 三安光電既是LED光電龍頭 也是集成電路新貴 在Micro LED領域占據領先地位 市場競爭力十分強勢。

微型LED（Micro LED） 除了具有OLED自發光、厚度薄、質量輕、視角大、響應時間短、發光效率高等特性外 還有體積小、易于攜帶、功耗低等優異特性 更容易實現高PPI（像素密度）。LED產業已經有很多單位致力于元件的開發應用。但由于LED芯片很小 如何實現全測已經成為一個重大難點。為了實現巨量轉移 芯片采用懸空式制作 對應的就需要懸空搭橋測試 但是容易出現斷橋 或者掉電極（peeling）等問題。

為此 三安光電于2018年3月22日提出一項名為“一種微型發光元件及其制作方法”的發明專利（申請號：201810241966.2） 申請人為廈門市三安光電科技有限公司。

圖1 微型發光二極管器件制作過程1

圖1過程為提供的LED外延結構110 一般包括生長襯底111和外延疊層。其中 生長襯底110表面結構可為平面結構或圖案化圖結構 蝕刻區包括第二電極區217和切割道區218 其中切割道區218將整個發光外延疊層110劃分為一系列微發光單元LED。繼續蝕刻切割道區218的第一類型半導體層212則形成走道150 從而將在整個發光外延結構分為一系列微型LED芯片陣列。

圖2 微型發光二極管器件制作過程2

在制作過程2中 各個微型LED芯片的表面上覆蓋絕緣材料層160 僅露出第一電極216和第二電極的217的部分表面 并在微型LED芯片陣列上制作金屬犧牲層190 進而根據測試模塊 形成區域化的金屬犧牲層 使得整個模塊化的金屬犧牲層并聯在第二電極上 作為第二測試的第二電極。

圖3 微型發光二極管器件制作過程3

參照圖3 在微型LED芯片陣列上制作含有SiN等材料的絕緣保護層131 以此覆蓋住整面的金屬犧牲層 并填充第一電極開孔位置。利用干蝕刻的方式 在第一電極開孔進一步挖孔 露出第一電極 并將整面填充金屬連接層141 進而在第一電極上與絕緣保護層組成支撐柱子。

三安光電的此項Micro LED專利 在常用微型LED的基礎上 利用導電基板搭配絕緣隔離 形成針孔電極的支撐柱子 并用模塊化金屬犧牲層做測試電極 實現微型發光元件的巨量全測。

LED領域的市場競爭力十分強勢 而三安光電憑借強大的實力不斷開發出新型Micro LED 并于TCL華星成立聯合實驗室 以加速推進Micro LED市場化。希望在不久將來 三安光電將實現在相關領域的全產業鏈布局。

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